Framleiðandi Vöru númer:
IPD12CNE8N G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD12CNE8N G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 85 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12801273
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD12CNE8N G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
85 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4340 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD12C
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD12CNE8NG
SP000096477
IPD12CNE8N G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
AOD2816
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
AOD2816-DG
Einingaverð
0.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BUK9217-75B,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
12500
HLUTARNÁMR
BUK9217-75B,118-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP052NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPC100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
IAUC120N04S6L008ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
